碳化硅/二氧化硅核壳结构纳米线的制备及场发射特性研究

编号：CPJS03703

篇名：碳化硅/二氧化硅核壳结构纳米线的制备及场发射特性研究

作者：刘霞； 曹连振； 蒋红； 宋航；

关键词：碳化硅； 二氧化硅； 核壳结构； 场发射特性；

机构： 山东省多光子纠缠与操纵重点实验室,潍坊学院物理与光电工程学院； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；

摘要： 以甲烷和二氧化硅纳米球为源,铁作催化剂,成功制备了长径比达200的碳化硅/二氧化硅核壳结构一维纳米线,分析了纳米线的合成机制,并研究了纳米线的场发射特性。研究结果表明,当施加的电场为5.5V/μm时,纳米线的场发射电流密度可达0.41mA/cm2,显示出良好的场发射特性。通过分析实验结果,认为纳米线具有良好场发射特性的原因有2个:一个是核壳结构纳米线的长径比比较大;另一个是核壳结构纳米线表面包覆的低电子亲和势的二氧化硅薄层抑制了表面缺陷发射。