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图案化定向碳纳米管阵列的场发射性能研究

编号:NMJS04836

篇名:图案化定向碳纳米管阵列的场发射性能研究

作者:李驰; 丁沭沂; 雷威; 张晓兵; 王保平;

关键词:屏蔽效应; 定向碳纳米管阵列; 场发射; 催化剂图案;

机构: 东南大学电子科学与工程学院,江苏省信息显示工程技术研究中心; 南师大泰州学院信息工程学院;

摘要: 考虑到碳纳米管的几何形貌会在一定程度上影响其场发射性能,如驱动电场,发射电流强度等,因此设计了3种不同的几何图案,并采用热气相化学沉积(TCVD)法制备出了相应几何结构的定向碳纳米管阵列;通过模拟计算和场发射测试实验,我们对以上3种结构的场发射性能进行比较,发现具有规则六边形蜂窝形状的碳纳米管阵列具有最强的边缘效应,最小的屏蔽效应,以及相同电场下最大的发射电流。


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