AFM制备纳米氧化点的研究

编号：NMJS04547

篇名：AFM制备纳米氧化点的研究

作者：王加科； 董正超； 程显东

关键词：AFM； 氧化点； 纳米工艺； 偏置电压； 环境湿度；

机构： 长春理工大学光电工程学院； 吉林省高等教育自学考试委员会办公室；

摘要： 结合压力传感器氧化绝缘纳米结构的制作,研究了基于AFM的纳米阳极氧化加工过程中偏置电压与环境温度、湿度等对氧化点尺寸的影响。实验结果表明,氧化点的尺寸随偏置电压和环境湿度的增大而增大,但过高的偏置电压和环境温度将会造成氧化点表面产生台阶现象;环境温度22℃,偏置电压8V,环境湿度50%,氧化时间8s,对于n型Si(100)的氧化加工而言是相对合适的加工参数。