金纳米线阵列的制备及其光学性能研究

编号：NMJS03969

篇名：金纳米线阵列的制备及其光学性能研究

作者：陈林； 李赵枝； 李岳彬； 周迪； 顾豪爽

关键词：金纳米线阵列； 氧化铝； 脉冲直流电沉积； 紫外光谱

机构： 湖北大学物理学与电子技术学院,铁电压电材料与器件湖北省重点实验室(湖北大学)

摘要： 采用二次阳极氧化法制备了高度有序的多孔氧化铝模板,并基于该氧化铝模板,采用脉冲直流电化学沉积的方法制备了金纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X线衍射仪(XRD)对所制备的金纳米线的形貌及晶体结构进行分析.结果表明:不同的沉积电压下制备的金纳米线具有不同的生长取向性,当沉积电压为3V时制备出的金纳米线沿[200]方向具有明显的生长取向性.利用紫外-可见光谱(UV-Vis)对金纳米线阵列光学性能进行研究,发现金纳米线的等离子体共振吸收峰随着沉积电压的增大先蓝移而后发生红移.