SiC(N）纳米粉体的吸波性能研究

编号：FTJS00302

篇名：SiC(N）纳米粉体的吸波性能研究

作者：焦桓 罗发等

关键词：吸波性能 SiC(N)纳米粉体 介电常数 反射率 吸波机理 碳化硅 氮化硅

机构： 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072

摘要： 采用CVD法合成了SiC(N)纳米粉体。在NH3流量为0－480ml/min范围内，合成了氮原子百分含量随NH3流量逐渐增大的一系列SiC(N)纳米粉体。研究了SiC(N)纳米粉体的介电常数和介电损耗角正切与粉体组成的关系，发现介电常数的实部、瞄部和介电损耗角正切均随粉体中氮原子摩尔分数的升高而降低，依据粉体的介电常数设计了双层吸波涂层，涂层的吸波效果随粉体氮含量的升高而降低。N原子取代SiC晶格中C产生的带电缺陷在电磁场作用下的极化驰豫是SiC(N）纳米粉体吸波的主要机理。

出处：西北工业大学学报.2002,20(2).-172-175