纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

编号：FTJS00303

篇名：纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

作者：赵东林 万伟等

关键词：微波 纳米SiC(N)复相粉体 纳米SiC粉体 微波介电特性 作用机理 纳米材料 复合材料

机构： 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072

摘要： 研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2-12.4GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理，发现纳米SiC(N）复相粉体介电常数的实部（ε′）和虚部（ε′′）在8.2-12.4GHz范围内随频率增大而减小，介电损耗（tgδ=ε′′/ε′）较高，是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的，对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷，这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流，强烈的极化驰豫过程导致大的介电损耗。

出处：西北工业大学学报.2002,20(2).-167-171