核壳结构 SiC/SiO2纳米线的低温合成与表征

编号：NMJS03420

篇名：核壳结构 SiC/SiO2纳米线的低温合成与表征

作者：赵春荣； 杨娟玉； 丁海洋； 卢世刚；

关键词：SiC/SiO2核壳结构纳米线； 碳热还原； 酚醛树脂； 光致发光；

机构： 北京有色金属研究总院； 北京 100088；

摘要： 以酚醛树脂(PF)作为碳源, 纳米 SiO2为硅源, 在 1300 ℃氩气气氛下通过碳热还原反应, 制备出具有核壳结构的 SiC/SiO2纳米线。采用 X 射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明; SiC/SiO2纳米线长可达数毫米, 单根 SiC/SiO2纳米线由直径 30 nm 的 β-SiC 晶体为内核和厚度约 12 nm 的无定形 SiO2壳层组成; 室温下 SiC/SiO2纳米线的 PL 发光峰与 β-SiC 单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后, 讨论了核壳结构 SiC/SiO2纳米线的生成机制。