MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究

编号：SBJS00340

篇名：MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究

作者：王灵婕1； 熊飞兵1； 郭太良2； 杨尊先2； 叶　芸2

关键词：纳米材料； MgO； 场致发射

机构： 1.厦门理工学院 光电与通信工程学院,福建 厦门361024； 2.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州350002

摘要： 采用碳热还原-氧化法成功制备大小均匀的MgO纳米线,采用场致发射电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)表征其形貌及晶体结构。采用丝网印刷将MgO纳米线转移到阴极电极,并将阴极电极与印刷有荧光粉的阳极电极组装成二级场致发射器件。场致电子发射测试表明MgO纳米线具有较好的电子 发 射 特 性:其 阈 值 电 场 强 度 仅 为3.82V/μm(1mA/cm2),最 高 电 流 密 度 达 到2.68mA/cm2 (4.01V/μm),发光亮度为1152cd/m2,4h内没有明显的衰减。MgO有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。