中国粉体网讯  未来雷达成像系统和5G通信系统的工作频率更高，在提高精度和数据传输速率的同时，功耗也随之增大。为减小功耗、提高性能、降低成本，欧洲启动“下一代高性能CMOS SOC III-V族化合物纳米半导体集成技术”（INSIGHT）项目，重点开发III-V族化合物CMOS技术。

该项目旨在开发硅基III-V族化合物CMOS制造技术，节省稀有材料、降低制造成本，参与开发的单位有德国弗朗霍夫应用固态物理研究所（IAF）、法国微纳研发中心（替代能源与原子能委员会下属电子与信息技术实验室，CEA-LETI）、瑞典隆德大学、英国格拉斯哥大学、爱尔兰延德尔国家研究院、瑞士IBM苏黎世公司。INSIGHT项目属于欧盟地平线2020研究与创新计划，研发经费为425万欧元，研发周期从2015年12月-2018年11月，共计36个月。

INSIGHT项目的任务是开发化合物半导体材料的互补功能（III-V族CMOS），支持毫米波频段的模拟、数字功能。III-V族纳米线可将器件尺寸进一步缩小，从而用于静电控制。纳米线的横截面积小，可利用纳米技术直接集成到硅衬底上。

隆德大学教授称，高性能硅基III-V族元器件的制造采用CMOS兼容技术，可减少关键材料的使用，从而降低毫米波核心元器件的成本。

IBM公司认为不断增长的需求将推动芯片技术不断突破极限，满足认知计算机、物联网和云平台等应用需求，这些应用包含海量数据，其中90%是非结构化的。INSIGHT项目或将推动芯片技术突破10纳米节点，为一系列新兴应用领域铺平道路。把III-V族材料集成到硅CMOS上可实现更强大的逻辑电路功能，同时降低功耗，并且利用III-V族材料的射频/模拟特性实现系统级芯片（SoC）集成。

在毫米波频段范围，不断增长的需求要求核心元器件提高性能，并且降低成本。INSIGHT项目将改进制造工艺，生产更大的晶圆，使高性能模拟、数字功能集成在同一平台上，同时优化材料和器件特性。

弗朗霍夫IAF具有丰富的III-V族材料工艺与电路设计经验，在INSIGHT项目中将负责III-V族材料和硅衬底纳米线异质集成，将把在项目中获得的结果和发现用于下一代III-V族化合物器件技术。

LETI的硅器件分部和集成电路与嵌入式系统分部都将参与INSIGHT项目，从材料到电路演示验证整个过程。将多种功能集成到单一芯片可扩展LETI平台的智能器件与物联网应用。

III-V族CMOS技术特别适用于毫米波设备前端，具体可用于通信、雷达和成像信号的探测或发生。INSIGHT项目的目标是开发接收机和发射机的关键技术，探索晶体管尺寸和布局极限。

项目团队技术专业全面，涵盖材料、器件，以及电路和系统，有能力将技术进一步转化为商业产品。