中国粉体网8月30日讯  哈尔滨工业大学的研究人员在二维二硫化钼(MoS2)纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展，相关论文日前在《美国化学会·纳米》(ACS Nano，影响因子12.06)刊发。与石墨烯相比，二维MoS2纳米片具有合适的带隙，适用于光检测等功能器件。金属电极与MoS2纳米片之间的电接触行为对器件性能的影响很大，研究者需要了解接触处的能带排列，因此对MoS2纳米片功函数的表征及调控成为最近的研究热点。

    据悉，哈工大课题组曾利用开尔文探针显微镜及导电原子力显微镜研究了MoS2纳米片表面电势随层数的变化规律，结果表明MoS2纳米片功函数随着层数的增加而增大，并且存在非常明显的层间屏蔽作用。课题组还研究了栅极电压对双层MoS2纳米片功函数的影响，结果表明当栅极电压高于门槛值时，栅极电压作用下电子注入导致双层MoS2纳米片的功函数呈现降低趋势。
　　
    最近课题组又通过引入具有偶极动量的自组装单分子层成功对MoS2纳米片载流子及功函数进行了调控，发现单层MoS2纳米片功函数调控范围能够到0.45-0.47eV，其载流子密度调控范围大大高于MoS22纳米片本身的载流子浓度，而且自组装单层能够使得单层MoS2纳米片的场效应晶体管极性发生变化。通过调节MoS2纳米片的功函数来调控MoS2纳米片功能器件中金属电极与MoS2接触处的接触势垒，能够指导基于电接触的功能器件的设计及制备，用于气敏及光响应器件等领域。