在德国举行的纳米技术论坛上，研究人员表示，试图采用该技术填补未来半导体制造蓝图中的空隙。

    英飞凌科技正在开发面向通信技术的纳米技术应用。英飞凌的一位研究人员Karl Joachim Ebeling介绍了一种能够用于控制半导体的带宽为60 Gbps的SiGe晶体管。但他表示，设计师还不太清楚这种元件的全部容量。“那很难测量，”Ebeling说。然而，可以肯定的是，SiGe晶体管提供更高开关电压，“至少与CMOS一样出色，”他补充道。

    尽管英飞凌在超薄绝缘硅晶圆上采用高达45纳米节点的平面MOSFET，但该公司表示正在考虑用于亚30纳米节点SOI上的非平面FinFET结构。Ebeling表示英飞凌正在研究高开关电流比率的FinFET，并有意在其FinFET存储器中采用该器件，据他称这种类型的元件将是全球首创。

    芯片设计师在采用纳米技术时还遭遇到一个老问题：随着结构越来越小，掩膜成本以指数级增长。“我们预计一套掩膜的费用为530万美元，” Ebeling说。此外，曝光系统成本也爆炸性飞涨，预计每套步进器的价值大约为8200万美元。