韩国三星电子公司宣布，该公司成功开发出使用0.09微米制造工艺的动态随机内存芯片（ D RAM）生产技术，并将在明年投入批量生产。

　　该项技术再一次突破了困扰业界的0.1微米的瓶颈，达到了纳米级的水平。芯片的栅极尺寸缩小到了50纳米以内。据悉，这将是纳米级芯片制造技术首次在 D RAM芯片生产中得到应用。

　　三星电子公司计划于明年第三季度将此技术应用于300毫米芯片的生产线，批量生产512兆、1G的DRAM芯片产品。

　　该公司的负责人指出：“在半导体工程技术方面，0.10微米一直被称为‘魔鬼极限’。在90纳米级的水平上实现 D RAM的批量生产，将使我们在业内取得1年以上的领先优势。”

　　分析人士指出，与现在广泛使用的0.13微米技术相比，新技术在理论上可以使生产效率提高3倍至4倍，令产品价格更具竞争性。

　　同时宣布的新产品还包括同样使用0.09微米技术制造，容量为2 GB的闪存芯片（ N AND）。这种芯片的容量是原来的2倍，将于明年上半年投入生产。

　　此前，英特尔、德州仪器等公司曾宣布，将在明年生产的 C PU，SRAM中采用0.09微米技术。三星电子公司是全球主要的内存芯片供应商之一。虽然今年半导体行业仍然不够景气，但是预计三星电子半导体部门在三季度的纯利将高于二季度的10700亿韩元。