APL:掩埋的银纳米粒子改善了有机晶体管
2010/08/11 点击 2540 次
看不到并不是想不到,一个香港的研究小组表明仅靠埋一层银纳米粒子,而不需要复杂的处理,就能改善他们的有机电子器件的性能。他们的发现被报道在由美国物理联合会(AIP)出版的《应用物理快报》上。
一个由香港理工大学Paddy Chan 教授和 Dennis Leung教授领导的研究小组已经表明了在两层有机五苯半导体之间简单地安放一层银纳米粒子就能象精心地在微小的浮动栅极区上放置纳米粒子一样提高性能。
由于某些金属纳米粒子能非常有效地俘获电荷,它们有助于提高晶体管性能和生产更薄晶体管而成了广受欢迎的添加剂。在层中间夹一层纳米粒子的方式,相比在晶体管栅极区添加材料所需的复杂方式,其与低成本的连续卷轴式有机晶体管制造工艺更兼容。
此外Chan的小组还发现,该纳米粒子层厚度能以可预测的方式来改变器件的性能。这可用来
优化晶体管的性能以满足实际应用所需。
夹有1纳米厚纳米粒子层的晶体管,例如,有只能持续约3个小时的稳定内存,这适合于制成内存缓冲。夹有5纳米厚纳米粒子层的晶体管比较常规, 能更长时间地保存电荷。
“我们相信,有机内存极有可能被用于下一代存储器件 -- 例如触摸屏和电子纸 – 这里它们的柔韧性和低成本是最重要的,”该小组的博士后研究员Sumei Wang博士说。
(来源:生物谷)
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