表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度

编号：NMJS03080

篇名：表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度

作者：张有为； 毕大炜； 公祥南； 边惠； 万里； 唐东升；

关键词：纳米硅； 拉曼散射； 声子限制；

机构： 浙江温州大学物理与电子信息工程学院； 信息功能材料国家重点实验室(上海微系统与信息技术研究所)； 低维量子结构与调控教育部重点实验室(湖南师范大学)；

摘要： 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.