Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

编号：NMJS02739

篇名：Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

作者：李园利； 谢瑞士； 余萍；

关键词：CdS； 掺杂； 半导体纳米晶； 水相合成技术； 光学性质；

机构： 四川大学材料科学与工程学院；

摘要： 利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶。XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:CdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS晶格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理。