强磁场条件制备ZnO纳米线研究

编号：NMJS02655

篇名：强磁场条件制备ZnO纳米线研究

作者：申彩霞； 李梅； 刘伟；

关键词：ZnO； 纳米线； 强磁场；

机构： 清华大学；

摘要： 采用真空蒸镀方法制备金属Zn膜,在不同磁场强度(0T-8T)条件下高温氧化金属Zn膜生长了ZnO纳米线,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,用X射线衍射方法(XRD)研究了样品的晶体结构,分析表明磁场对ZnO纳米线的形貌有影响。用室温光致发光谱(PL)研究了ZnO纳米线的光谱性质,结果表明ZnO纳米线的绿光发射与制备样品时磁场强度相关。论文研究表明在磁场条件下制备的ZnO纳米线,其形貌和发光性质都受到制备条件的影响。