衬底对PECVD法生长氢化纳米硅薄膜的影响

编号：NMJS02343

篇名：衬底对PECVD法生长氢化纳米硅薄膜的影响

作者：王权； 胡然； 丁建宁； 何宇亮；

关键词：纳米硅薄膜； Raman光谱； 表面粗糙度； 晶态比；

机构： 江苏大学机械工程学院； 中科院传感技术国家重点实验室； 南京大学物理系；

摘要： 用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法,在玻璃和单晶Si衬底上分别制备了氢化纳米硅薄膜,对在相同工艺条件下的薄膜进行了对比研究,即用Raman散射谱研究了薄膜的晶粒平均大小和晶态比;用台阶仪测试了薄膜厚度;用X射线衍射谱和原子力显微镜对薄膜微结构和形貌进行了对比研究,发现所制备薄膜的微观结构有很大的差异。相同工艺条件下,在玻璃衬底上生长的薄膜,表面粗糙度小于单晶Si衬底上的薄膜,而晶化程度低于单晶Si衬底。掺杂使微结构发生了变化,掺P促进晶化,掺B促进非晶化,对此实验结果给出了定性的分析。