纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计

编号：NMJS01800

篇名：纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计

作者：汪礼胜； 祝霁洺； 陈凤翔；

关键词：氢化纳米碳化硅； 异质结太阳电池； 优化设计； AFORS-HET；

机构： 武汉理工大学理学院物理科学与技术系；

摘要： 采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为:开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。