SnO_2纳米线基场效应晶体管的电学性能研究

编号：CPJS05681

篇名：SnO_2纳米线基场效应晶体管的电学性能研究

作者：拜颖乾[1] ;毛红梅[1] ;郭军[1] ;李伟[2]

关键词： SnO_2纳米线 晶体管 Sb掺杂 电学性能 栅电压 功耗

机构： [1]陕西铁路工程职业技术学院,陕西渭南714099; [2]西安交通大学,陕西西安710049

摘要： 基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术,成功制备了2%（质量分数）Sb掺杂SnO_2纳米线,所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响;将该纳米线作为场效应晶体管的沟道,分析了不同比例的Sb掺杂对晶体管电学性能参数的影响。结果显示：Sb质量分数由0.5%增加到2.5%时,随着Sb掺杂量的增大,晶体管的稳定性增强,但栅电压的调控能力减弱,晶体管功耗增大且对空穴和电子的迁移能力减弱。