010-82930964 
编号：NMJS06344
篇名：PIP法制备SiC纳米线增强SiCf/SiC复合材料及其力学性能
作者：秦浩[1,2] ;董绍明[1] ;胡建宝[1] ;阚艳梅[1] ;何平[1] ;王洪达[1,2]
关键词： 复合材料 碳化硅纳米线 界面 力学性能
机构： [1]中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050; [2]中国科学院大学,北京100049
摘要： 利用化学气相沉积法原位生长SiC纳米线，制备出SiC纳米线增强SiCk／SiC复合材料。研究了SiC纳米线及SiC纳米线／基体热解碳界面调控对复合材料的力学性能、裂纹扩展行为、纤维与基体之间的结合强度的作用。研究表明：SiC纳米线的引入能显著提高复合材料的致密化效果。通过调控SiC纳米线／基体的界面厚度，可显著提高复合材料的力学性能。SiC纳米线的引入提高了纤维／基体的界面结合强度，而SiC纳米线表面热解碳的引入可改善纤维／基体的界面结合强度。此外，碳化硅纳米线及其界面调控，能有效优化基体的微区力学行为及断裂模式。
