氢化碳化硅（SixC（1-x）：H）薄膜发光特性和纳米线发光增强研究

编号：CPJS05472

篇名：氢化碳化硅（SixC（1-x）：H）薄膜发光特性和纳米线发光增强研究

作者：程英 ;余忠卫 ;魏晓旭 ;杨华峰 ;郭丹 ;王军转 ;余林蔚 ;施毅

关键词： 氢化碳化硅薄膜 光致发光 纳米线

机构： 南京大学电子科学与工程学院、光电子材料重点实验室,南京210093

摘要： 氢化碳化硅薄膜作为一种宽带隙的半导体材料,具有优越的物理特性,其在光电子器件上的潜在应用引起了人们的兴趣。利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统制备了一系列氢化碳化硅薄膜,通过改变反应前驱物及流量比调节薄膜的室温光致发光性质。实验发现在一定范围内随着流量比R（CH4/SiH4）的提高,氢化碳化硅薄膜的光致发光峰位蓝移且发光强度增强;同时反应前驱物中的氢会极大影响氢化碳化硅薄膜的发光强度。通过椭偏仪（Ellipsometer）测量了薄膜的光学常数,发现薄膜沉积速率随着流量比R的增加而降低;傅里叶红外光谱仪（FTIR）测试表明Si-C有序度随着流量比的增加而增大。同时研究了三维纳米线结构对多态碳化硅薄膜发光性质的影响。光致发光测试结果表明三维纳米线结构可以有效提高薄膜的光致发光强度。