Zr/C纳米自蔓延反应薄膜制备及表征

编号：CPJS05378

篇名：Zr/C纳米自蔓延反应薄膜制备及表征

作者：杜军[1] ;杨吉哲[2] ;王尧[1]

关键词：磁控溅射 Zr/C纳米薄膜 自蔓延反应 制备工艺 表征

机构： [1]装甲兵工程学院再制造技术国家重点实验室,北京100072; [2]装甲兵工程学院机械系,北京100072

摘要： 目的 研究物理气相沉积技术制备Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜的可行性,以及多层膜的结构和反应特征。方法 利用扫描电镜法（SEM）、透射电镜法（TEM）、能谱分析法（EDS）、X射线衍射法（XRD）、差示扫描量热法（DSC）等手段,对薄膜的微观形貌、周期结构、成分组成、晶体结构及反应特征等进行表征,分析了薄膜的沉积时间、结构周期、层间结构、反应温度等工艺参数对多层膜结构和性能的影响。结果 Zr层的沉积速率为27 nm/min,C层的沉积速率为11.8 nm/min。薄膜中存在单质Zr（002）和Zr（101）峰,C以非晶形态存在。Zr/C多层膜的表面形貌呈“菜花状”,Zr层与C层结构清晰,分布均匀。透射电镜观察Zr层与C层界面,发现两者之间存在一定厚度的界面反应层,表明沉积过程中两者之间发生了轻微扩散或是预先反应。DSC发现,600℃时Zr/C多层膜发生放热反应,但反应前后多层膜质量未发生明显变化。结论 利用物理气相沉积技术可制备较纯的Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜,自蔓延反应时,Zr层与C层之间发生快速的剧烈放热反应,并有Zr C生成,无其他产物生成。