覆银聚酰亚胺纳米棒阵列的制备及其SERS特性

编号：CPJS05337

篇名：覆银聚酰亚胺纳米棒阵列的制备及其SERS特性

作者：范祥祥 ;何秀丽 ;李建平 ;高晓光 ;贾建 ;祁志美

关键词：纳米棒阵列 表面增强拉曼散射 等离子体刻蚀 场增强因子

机构： 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190

摘要： 通过在聚酰亚胺（PI）膜表面进行氧等离子体刻蚀得到纳米棒阵列,并溅射Ag膜形成了覆银聚酰亚胺纳米棒阵列。利用该方法能够简单快捷地制备出具有较强活性且结构可调的表面增强拉曼散射（SERS）衬底。通过改变氧等离子体刻蚀时间和溅射Ag膜厚度可以调节覆银PI纳米棒的间隙、密度和直径。通过对探针分子尼罗兰（NB）测试表征了覆银PI纳米棒衬底的SERS增强能力。通过改变氧等离子体刻蚀时间和Ag膜溅射厚度实现了衬底SERS增强能力的调节。在氧等离子体刻蚀时间为30 s和溅射Ag膜厚度为70 nm时,衬底的SERS增强能力达到最强,并且其拉曼信号展现出较好的一致性。