CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能

编号：CPJS05254

篇名：CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能

作者：田乐成[1] ;杨海滨[2] ;李云辉[1] ;绍晶[1] ;孙晶[1] ;董群[1] ;凌宏志[1] ;王硕[3] ;温祖旺[3] ;张鑫[1] ;丁娟[4]

关键词：CdSe纳米棒 电化学沉积 光电化学性能

机构： [1]长春理工大学化学与环境工程学院,长春130022; [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130012; [3]长春理工大学材料科学与工程学院,长春130022; [4]吉林大学珠海学院公共

摘要： 在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物（ITO）基底表面生长CdSe纳米棒阵列,并利用X射线衍射（XRD）、能量色散X射线（EDX）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光电化学性能;在标准三电极体系下,测试CdSe纳米棒阵列电极的光电化学性能.结果表明：样品沿[001]方向择优生长,并具有明显的光响应特性;在光强为100 mW/cm^2的模拟太阳光照射下,该电极光电流密度J_sc=2.93 mA/cm2,开路电压V_oc=1.16 V,填充因子FF=0.278,该电池的光电转化效率η=0.947%.