GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征

编号：NMJS06045

篇名：GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征

作者：罗曼琳 ;葛峻羽 ;孙文正 ;翟慧芳

关键词：GaSb纳米线 可控制备 CVD法 VLS生长机制 光学性质

机构： 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙410082

摘要： 采用CVD法合成GaSb纳米线，并分析生长时间对其长度的影响，随后对其进行光学表征．实验过程中，分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理，再置于相同条件下制备GaSb纳米线；之后对其进行表征分析，根据扫描电子显微镜（SEM）表征结果证实，两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制．且发现GaSb纳米线的生长长度，可以通过改变其生长时间来进行控制．通过该纳米线的透射电子显微镜图（TEM）、X射线衍射图（XRD）等结构表征，表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构；同时，从GaSb纳米线的拉曼光谱（Raman）及光致发光谱（PL）可以反映该纳米线具有优良的光学性质．由此证明，采用CVD法制得的纳米线光学性质优异，且可以实现可控制备．