一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展

编号：CPJS04817

篇名：一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展

作者：贾若飞 ;杨丽丽 ;杨丰 ;王飞 ;杨慧 ;李岚

关键词：GAN 纳米线 CVD法 LED 光探测器

机构： 天津理工大学,显示材料与光电器件教育部重点实验室,天津市光电显示材料与器件重点实验室,材料科学与工程学院,材料物理所,天津300384

摘要： 一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。