不同溶剂下制备B2 O3/SiO2纳米复合材料对其室温磷光的影响

编号：NMJS05553

篇名：不同溶剂下制备B2 O3/SiO2纳米复合材料对其室温磷光的影响

作者：庄贞静[1] ;肖丹[2]

关键词：室温磷光 二氧化硅 掺杂 硼

机构： [1]华侨大学分子药物学研究院,福建泉州362021; [2]四川大学化学学院,四川成都610064

摘要： 本文通过对比不同溶剂制备的B2 O3/SiO2纳米复合材料室温磷光光谱，并结合FTIR及XRD的表征结果，研究溶剂对该材料磷光性能的影响。结果表明，不管用何种溶剂制备B2 O3/SiO2室温磷光材料，均存在两个磷光发射峰，一个是位于520-540nm之间，该发光可能是与氧化硼有关的二氧化硅杂质缺陷发光，另一个位于470-780nm处，该磷光峰推测是二氧化硅的结构缺陷发光。但是在制备过程中溶剂将影响氧化硼在二氧化硅结构中的掺杂，进而影响其发光中心的相对发光强度。