γ-巯丙基三甲氧基硅烷对纳米二氧化硅表面接枝改性的研究

编号：FTJS05653

篇名：γ-巯丙基三甲氧基硅烷对纳米二氧化硅表面接枝改性的研究

作者：李峰； 李红强； 赖学军； 吴文剑； 曾幸荣；

关键词：纳米SiO2； γ-巯丙基三甲氧基硅烷； 表面接枝改性；

机构： 华南理工大学材料科学与工程学院；

摘要： 采用γ-巯丙基三甲氧基硅烷(KH590)对纳米二氧化硅表面进行接枝改性,研究KH590用量、反应时间和反应温度等对纳米二氧化硅相对接枝率和粒径的影响;采用红外光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对改性前后的纳米二氧化硅进行表征。结果表明:KH590通过水解后与二氧化硅粒子表面的羟基发生反应,成功接枝到纳米二氧化硅表面;其最佳工艺条件为:KH590用量为二氧化硅质量的15%,反应温度为80℃,反应时间为10 h,其相对接枝率达到10.3%;与未改性纳米二氧化硅相比,其平均粒径明显变小,分散性及亲油性明显变好。