ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究

编号：NMJS05267

篇名：ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究

作者：何霞； 刘海瑞； 董海亮； 梁建； 张华； 许并社

关键词：ZnO； ZnO/In2O3； 罗丹明B； 光催化效率；

机构： 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室； 太原理工大学材料科学与工程学院；

摘要： 通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明:ZnO/In2O3异质结是由直径约200~300 nm、厚度约40~60 nm的六边形纳米片镶嵌着In2O3纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In2O3和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率,发现ZnO/In2O3异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率,其原因是窄带系半导体In2O3能够有效地吸收可见光,当ZnO与In2O3形成异质结时,In2O3能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上,而光激发的空穴仍保留在In2O3价带,这样有助于光生电子和空穴的分离,降低其复合几率,从而有效地提高了ZnO的光催化效率。