MBE生长GaN纳米柱XRD和AFM分析

编号：NMJS05239

篇名：MBE生长GaN纳米柱XRD和AFM分析

作者：周平； 任霄钰； 苑进社；

关键词：分子束外延； V/III比； GaN纳米柱；

机构： 重庆师范大学物理与电子工程学院；

摘要： 首次使用纳米压印和分子束外延(MBE)相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表征。XRD分析表明所制备的GaN纳米柱在(0002)方向择优生长。计算得出GaN纳米柱的尺寸约为30 nm。原子力显微镜AFM分析发现:随着V/III的增大,表面粗糙度逐渐降低。基于XRD和AFM分析结果,讨论了V/III比对制备GaN纳米柱形貌和结构的影响。