碲化镉纳米晶中温度相关的能量转移研究

编号：NMJS05003

篇名：碲化镉纳米晶中温度相关的能量转移研究

作者：夏峥嵘； 李荣青；

关键词：发光学； 能量转移； 温度； 缺陷； 碲化镉纳米晶；

机构： (淮南师范学院物理与电子信息系； 淮南232001)；

摘要： 通过测量碲化镉纳米晶层在不同温度下(78k至300k)发光光谱的变化,讨论了不同尺寸纳米晶之间以及单个纳米晶内部本体态至缺陷态两种能量转移随温度的变化规律。研究发现,碲化镉纳米晶层在低温下有明显的本体(～520 nm)和缺陷(～605 nm) 发光,且其发光强度随温度的改变呈现了不同的变化规律。构造了一个纳米晶能量转移模型来解释发光强度随温度的改变。两种能量转移在温度变化的第一阶段(78k至140k)对发光强度的影响起主要作用。对于碲化镉纳米晶来说,大尺寸纳米晶发光效率高。因此,随着温度的升高缺陷态发光强度迅速降低,本体发光强度逐渐升高。而在温度变化的第二阶段(140k至300k),能量转移起次要作用。随着温度的升高,缺陷态和本体态发光强度均逐渐降低。模型说明纳米晶发光强度的变化分成两个阶段主要是能量转移强度不同引起的。为了进一步验证这种模型,通过将碲化镉纳米晶层的干燥过程放在近真空条件下进行,得到的纳米晶层表面缺陷大量减少。因此,在温度变化的第一阶段,本体至缺陷态的能量转移不再起主要作用。实验结果表明缺陷发光强度随温度的改变不再分成两个阶段,证实了能量转移模型是合理的。