一锅法制备温敏改性纳米二氧化硅

编号：NMJS04930

篇名：一锅法制备温敏改性纳米二氧化硅

作者：武江红； 杜志平； 台秀梅； 刘晓英；

关键词：一锅法； 纳米二氧化硅； 温敏改性； 功能材料；

机构： 中国日用化学工业研究院 山西省纳米技术应用研究中心；

摘要： 通过一锅法,制备得到温敏改性的SiO2。考察了反应温度、单体用量、反应时间、引发剂用量等因素对接触角的影响。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和透射电子显微镜(TEM)对产物进行了表征。温敏改性纳米SiO2的最佳工艺条件为:反应温度73℃,反应时间6 h,单体与KH-570摩尔比为1∶1,引发剂用量为单体与KH-570总质量的2.5%。