一维Ga2O3纳米材料及其光电导性能研究进展

编号：NMJS04414

篇名：一维Ga2O3纳米材料及其光电导性能研究进展

作者：段艳廷； 赵登； 张瑞平； 邢杰； 郝会颖； 董敬敬

关键词：三氧化二镓； 一维纳米材料； 光电导

机构： 中国地质大学(北京) 数理学院； 中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院； 中国地质大学(北京)信息工程学院

摘要： 一维纳米材料以其特殊的物理和化学性质成为了现在纳米材料研究的热点。目前国内对一维纳米材料研究主要体现在两方面:一是一维纳米材料的制备;二是纳米材料的功能器件研究,如光电探测器、气敏探测器等。本文综述了一维Ga2O3纳米材料的几种常用的制备方法,包括工艺参数及生长机理,并简单介绍了Ga2O3光电导探测器的工作原理及最近的研究成果。