周期性纳米洞内边缘氧饱和石墨烯纳米带的电子特性

编号：NMJS04280

篇名：周期性纳米洞内边缘氧饱和石墨烯纳米带的电子特性

作者：曾永昌； 田文； 张振华；

关键词：石墨烯纳米带； 纳米洞； 内边缘氧饱和； 电子特性；

机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院；

摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了内边缘氧饱和的周期性凿洞石墨烯纳米带(G NR)的电子特性.研究结果表明:对于凿洞锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs),在非磁性态时不仅始终为金属,且金属性明显增强;反铁磁态(AFM)时为半导体的ZGNR,凿洞后可能成为金属;但铁磁态(FM)为金属的ZGNR,凿洞后一般变为半导体或半金属.而对于凿洞的扶手椅形石墨烯(AGNRs),其带隙会明显增加.深入分析发现:这是由于氧原子对石墨烯纳米带边的电子特性有重要的影响,以及颈次级纳米带(NSNR)及边缘次级纳米带(ESNR)的不同宽度及边缘形状(锯齿或扶手椅形)能呈现出不同的量子限域效应.这些研究对于发展纳米电子器件有重要的意义.