不同环境湿度对 CuO 纳米线生长及场发射性能的影响

编号：NMJS04270

篇名：不同环境湿度对 CuO 纳米线生长及场发射性能的影响

作者：叶 芸； 陈填源； 蔡寿金； 颜 敏； 刘玉会； 郭太良；

关键词：CuO 纳米线； 热氧化法； 环境湿度； 场发射；

机构： (福州大学 物理与信息工程学院； 福州 350002)；

摘要： 首先在 400℃的干燥空气(流量为 500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线, 随后, 采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X 射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能, 并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明: 水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大, 在 500 sccm 空气流量条件下, 通入水汽(500 sccm)条件下与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比, 其密度明显增大, 场发射性能提升, 其开启场强约为 3.7V/μm, 明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm); 此外, 制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先提高后降低趋势, 并且, 在通入水汽流量为 3000 sccm 时, 获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能, 其开启场强低至 1.4 V/μm。