纳米压印多孔硅模板的研究

编号：NMJS04239

篇名：纳米压印多孔硅模板的研究

作者：张铮； 徐智谋； 孙堂友； 徐海峰； 陈存华； 彭静；

关键词：纳米压印； 阳极氧化铝； 多孔硅； 拉曼光谱；

机构： 华中科技大学光学与电子信息学院； 中师范大学化学学院； 武汉科技大学理学院；

摘要： 纳米压印模板通常采用极紫外光刻、聚焦离子束光刻和电子束光刻等传统光刻技术制备,成本较高.寻找一种简单、低成本的纳米压印模板制备方法以提升纳米压印光刻技术的应用成为研究的重点与难点.本文以多孔氧化铝为母模板,采用纳米压印光刻技术对纳米多孔硅模板的制备进行了研究.在硅基表面成功制备出纳米多孔阵列结构,孔间距为350—560nm,孔径在170—480nm,孔深为200nm.在激发波长为514nm时,拉曼光谱的测试结果表明,相对于单面抛光的硅片,纳米多孔结构的硅模板拉曼光强有了约12倍左右的提升,对提升硅基光电器件的应用具有重要的意义.最后,利用多孔硅模板作为纳米压印母模板,通过热压印技术,成功制备出了聚合物纳米柱软模板.