DC-HCPCVD法高CH_4流量下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究

编号：NMJS04154

篇名：DC-HCPCVD法高CH_4流量下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究

作者：吴春雷； 黄海亮； 郑友进； 李明； 张军；

关键词：直流热阴极； 纳米金刚石膜； CH4流量；

机构： 牡丹江师范学院理学院； 牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料黑龙江省重点实验室； 牡丹江师范学院工学院；

摘要： 在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(plasma chemical vapor deposition)设备,在高CH4流量下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:随着CH4流量的增加,晶粒尺寸明显减小,表面变得更加平滑,但非金刚石相增多,膜的品质下降。同时CH4流量增加,促进了(110)面的生长,当CH4流量达到12 sccm,具有(110)方向的择优取向。