大面积均匀平坦纳米AlN薄膜的研制

编号：NMJS04125

篇名：大面积均匀平坦纳米AlN薄膜的研制

作者：朱宇清； 陈希明； 李福龙； 李晓伟； 杨保和；

关键词：氮化铝(AlN)薄膜； 声表面波(SAW)； 表面粗糙度； 均匀性；

机构： 天津理工大学电子信息工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室；

摘要： 采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为3.17nm。研究结果表明:射频磁控溅射能量和N2浓度是实现大面积、均匀平坦、纳米级AlN薄膜的重要制备工艺参数。