CdTe量子点敏化TiO_2纳米棒光电极的制备及分析

编号：NMJS04099

篇名：CdTe量子点敏化TiO_2纳米棒光电极的制备及分析

作者：郑丹； 赵鑫；

关键词：TiO2纳米棒； 量子点； 电化学沉积法； 沉积电量； 光电极； 核壳结构； 饱和光电流密度；

机构： 武汉软件工程职业学院光电子与通讯工程系； 湖北大学物电学院；

摘要： 利用电化学沉积法在TiO2纳米棒阵列上沉积了CdTe量子点,通过调节沉积时的电量使整个TiO2纳米棒上覆盖了致密均匀的CdTe量子点,CdTe和TiO2形成了核壳结构。研究了沉积电量对FTO/TiO2/CdTe光电极的结构及光电性能的影响,发现随着沉积电量的增大,FTO/TiO2/CdTe光电极的吸收边发生红移。当沉积电量为0.9C时,在光强为0.1 W/cm2、AM 1.5 G标准模拟太阳光照射下,所制光电极产生最大的饱和光电流密度3.23×10–3A/cm2。