PbSe/CdS/N-TiO2纳米棒阵列光电极:CVD制备全色光电极

编号：NMJS03781

篇名：PbSe/CdS/N-TiO2纳米棒阵列光电极:CVD制备全色光电极

作者：张旗

关键词：PbSe； CdS； N-TiO2纳米棒阵列； PEC； near IR响应

机构： 吉林师范大学物理学院

摘要： 硒化铅(PbSe)作为一种常用的近红外(near IR)光响应材料,广泛地应用于太阳能应用领域.但要将之与其他硫化物光敏剂(如CdS)连用,共同敏化宽禁带半导体光电极,使其感光范围从紫外光(UV),到可见光(vis),一直拓展到Near IR频段,常用的湿化学制备方法还有困难.据此,我们提出一种化学气相沉积(CVD)制备过程,将CdS和PbSe纳米颗粒,顺次沉积到渗氮的TiO2(N-TiO2)纳米棒阵列上,得到PbSe/CdS/N-TiO2光电极.检测结果表明,CVD方法能够有效地合成出这种杂化的光电极,并表现出增强的光电化学(photoelectrochemis-try/PEC)性能.Near IR吸收光谱表明,此种光电极的感光范围已拓展到near IR频段,为制备全色的复合光电极打下了基础.