低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

编号：NMJS03600

篇名：低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

作者：李铭杰； 高红； 李江禄； 温静； 李凯； 张伟光

关键词：ZnO； 纳米带； 低温； 输运机制；

机构： 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院； 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室

摘要： 用化学气相沉积的方法在硅基底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130K),近邻跳跃传导为主导输运机制.