CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

编号：NMJS03503

篇名：CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

作者：曾体贤； 刘其娅； 陈太红； 谌家军

关键词：CdSe薄膜； 热蒸发； 透过率； 禁带宽度

机构： 西华师范大学物理与电子信息学院

摘要： 采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征。结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40～70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV)。 更多还原