准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性

编号：NMJS03387

篇名：准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性

作者：张立；

关键词：GaN纳米线； 结合能； 变分方法； 杂质态；

机构： 广州番禺职业技术学院电子与机械系；

摘要： 考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合。计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时。讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析。